高通日前宣告新一代旗舰处理器命名为骁龙835,但关于详细标准所言甚少,仅仅说会选用三星10nm FinFET工艺制作,现在已投产,终端产品将在2017年上半年面世。
依据微博用户@草包科技给出的最新情报,骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro),将会选用晋级版64位自主架构Kyro 200,并且是四大、四小的八核规划,但详细频率不详。
集成GPU中心晋级为Adreno 540,基带则是LTE X16,最高支撑LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传也有150Mbps。
别的,骁龙835还会支撑四通道LPDDR4X-1866内存(联发科Helio P20首发)、UFS 2.1存储(麒麟960首发/骁龙660也会用)。
骁龙835将在2017年第一季度量产,首发的是三星新旗舰Galaxy S8,下一年二月底的MWC 2017大会前发布,而国产机型将在下一年年中跟进。